集成電路封裝技術一直追隨著集成電路的發展而發展，不斷追求更小制程與更小體積。芯片的封裝技術則從70年代的DIP插入式封裝到SOP表面貼片式封裝，再到80年代的QFP扁平式貼片封裝，芯片封裝的體積一直朝著小型化發展，結構性能也在不斷地提升。

目前，倒裝芯(xin)片技(ji)術(shu)是(shi)一(yi)種(zhong)很成(cheng)熟(shu)的芯(xin)片連(lian)接技(ji)術(shu)，通過芯(xin)片表面的焊點(dian)，實現芯(xin)片與襯底的互聯，大大縮短了(le)芯(xin)片連(lian)接的長度。在球形焊料凸(tu)(tu)點(dian)過程中，每一(yi)道工藝流程后(hou)都采用多種(zhong)檢測技(ji)術(shu)來捕捉凸(tu)(tu)點(dian)缺陷(xian)。由于凸(tu)(tu)點(dian)連(lian)接和粘結劑地(di)缺陷(xian)問題，會造(zao)成(cheng)成(cheng)品(pin)率地(di)降(jiang)低極大地(di)增加(jia)制造(zao)成(cheng)本。凸(tu)(tu)點(dian)高(gao)度的一(yi)致性是(shi)質量(liang)控制的重要一(yi)步，凸(tu)(tu)點(dian)的高(gao)度一(yi)致性高(gao)，則信號(hao)傳輸質量(liang)高(gao)。

為了提高(gao)成品(pin)率或(huo)避(bi)免潛在(zai)地損失，生產凸點時，每一步工藝之(zhi)后(hou)都要(yao)結合多種檢測技術來自動完成數據采(cai)集(ji)。檢測的數據通(tong)常包括晶圓(yuan)地圖像、晶圓(yuan)上通(tong)過(guo)和未通(tong)過(guo)檢驗(yan)的芯片地分布情況。

3D共聚焦方法可(ke)以(yi)確定(ding)凸點(dian)的(de)高度、共面性(xing)、表(biao)面形貌和粗糙度。在(zai)(zai)電(dian)鍍工(gong)藝(yi)之后采用(yong)3D凸點(dian)檢測(ce)還(huan)可(ke)以(yi)搜(sou)集數據(ju)并預測(ce)在(zai)(zai)封裝中可(ke)能遇(yu)到的(de)互(hu)連問(wen)題，并且可(ke)在(zai)(zai)一定(ding)程度上監(jian)控生產設備(bei)或工(gong)藝(yi)的(de)潛在(zai)(zai)問(wen)題。

（圖：NS3500 激光共聚焦顯微鏡）

激光共聚焦顯微鏡（NS3500，Nanoscope Systems, 韓國納茲克）檢測芯片凸點。